IRFR224PBF Vishay

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 3.8 A, Тип корпуса: DPAK (TO-252), Максимальное рассеяние мощности: 2,5 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 6.22мм, Высота: 2.39мм, Размеры: 6.73 x 6.22 x 2.39мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 6.73мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 7 ns, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 20 ns, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 1.1 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 250 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 14 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 260 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: Vishay, Maximum Continuous Drain Current: 3,8 А, Package Type: DPAK (TO-252), Maximum Power Dissipation: 2,5 Вт, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 6.22мм, Maximum Drain Source Resistance: 1,1 ?, Maximum Drain Source Voltage: 250 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 14 нКл при 10 В, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: МОП-транзистор, Подкатегория: MOSFETs, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: IRFR, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: Vishay / Siliconix, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-252-3, Base Product Number: IRFR224 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 3.8A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Operating Temperature: -55В°C \~ 15