SI2302DDS-T1-GE3 Vishay

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Длина: 3.04мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: Vishay, Максимальный непрерывный ток стока: 2.6 A, Package Type: SOT-363, Maximum Power Dissipation: 0.71 W, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Width: 1.4мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 0.85V, Minimum Gate Threshold Voltage: 0.4V, Высота: 1.02мм, Maximum Drain Source Resistance: 75 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 20 В, Число контактов: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 3.5 nC, Номер канала: Поднятие, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: ±8 V, Forward Diode Voltage: 1.2V, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Количество элементов на ИС: 1, Length: 3.04мм, Максимальное рассеяние мощности: 0,71 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 1.4мм, Максимальное пороговое напряжение включения: 0.85V, Минимальное пороговое напряжение включения: 0.4V, Height: 1.02мм, Maximum Drain Source Voltage: 20 В, Pin Count: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 3,5 нКл, Channel Mode: Поднятие, Прямое напряжение диода: 1.2V, Id - непрерывный ток утечки: 2.9 A, Pd - рассеивание мощности: 860 mW, Qg - заряд затвора: 5.5 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 57 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 4.5 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 400 mV, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 7 ns, Время спада: 7 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: TrenchFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 13 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: SI2, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 30 ns, Типичное время задержки при включении: 8 ns, Торговая марка: Vishay / Siliconix,