IRFZ44PBF Vishay

Id - непрерывный ток утечки: 50 A, Pd - рассеивание мощности: 150 W, Qg - заряд затвора: 67 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 28 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 110 ns, Время спада: 92 ns, Высота: 15.49 mm, Длина: 10.41 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 15 S, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IRFZ, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 45 ns, Типичное время задержки при включении: 14 ns, Торговая марка: Vishay Semiconductors, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.7 mm, Base Product Number: IRFZ44 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 175В°C (TJ), Other Related Documents: http://www.Vishay.com/docs/88869/packaging.pdf, Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-220AB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250ВµA, Transistor Mounting: Through Hole, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Измерения Rds(on): 10В, Напряжение Истока-стока Vds: 60В, Непрерывный Ток Стока: 50А, Пороговое Напряжение