IRF710PBF Vishay

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 2 A, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 36 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7мм, Высота: 9.01мм, Размеры: 10.41 x 4.7 x 9.01мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.41мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 8 нс, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 21 ns, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 3.6 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 400 V, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 17 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 170 pF@ 25 V, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 2 A, Pd - рассеивание мощности: 36 W, Qg - заряд затвора: 17 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.6 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 400 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 9.9 ns, Время спада: 11 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 1 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IRF, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 8 ns, Торговая марка: Vishay / Siliconix, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220AB-3, Base Product Number: IRF710 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 2A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V,