Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
GT50JR22(S1WLD,E,S) Toshiba
Кат. номер: GT50JR22(S1WLD,E,S)
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Maximum Operating Temperature: +175 °C, Length: 15.5мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Toshiba, Maximum Collector Emitter Voltage: 600 V, Maximum Continuous Collector Current: 50 A, Package Type: TO-3P, Maximum Power Dissipation: 230 W, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Width: 4.5мм, Height: 20мм, Pin Count: 3, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Switching Speed: 1МГц, Maximum Gate Emitter Voltage: ±25V, Channel Type: N, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: GT50JR22, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Торговая марка: Toshiba, Бренд: Toshiba
\GT50JR22(S1WLD,E,S) – артикул товара бренда Toshiba с розничной ценой 494 ₽ за штуку. Купите GT50JR22(S1WLD,E,S) по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Toshiba для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить GT50JR22(S1WLD,E,S) Toshiba в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Toshiba и уточнить персональную цену на GT50JR22(S1WLD,E,S) вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
Toshiba\
\
\
Артикул\
\
GT50JR22(S1WLD,E,S)\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Maximum Operating Temperature: +175 °C, Length: 15.5мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Toshiba, Maximum Collector Emitter Voltage: 600 V, Maximum Continuous Collector Current: 50 A, Package Type: TO-3P, Maximum Power Dissipation: 230 W, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Width: 4.5мм, Height: 20мм, Pin Count: 3, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Switching Speed: 1МГц, Maximum Gate Emitter Voltage: ±25V, Channel Type: N, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: GT50JR22, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Торговая марка: Toshiba, Бренд: Toshiba
\GT50JR22(S1WLD,E,S) – артикул товара бренда Toshiba с розничной ценой 494 ₽ за штуку. Купите GT50JR22(S1WLD,E,S) по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Toshiba для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить GT50JR22(S1WLD,E,S) Toshiba в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Toshiba и уточнить персональную цену на GT50JR22(S1WLD,E,S) вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\