FQB33N10LTM ON Semiconductor

Кат. номер: FQB33N10LTM
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 33 А, Тип корпуса: D2PAK (TO-263), Максимальное рассеяние мощности: 3,75 W, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 9.65мм, Высота: 4.83мм, Размеры: 10.67 x 9.65 x 4.83мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 17 ns, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 70 нс, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 1V, Максимальное сопротивление сток-исток: 52 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 100 V, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 30 nC @ 5 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1250 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION

\

FQB33N10LTM – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 423 ₽ за штуку. Купите FQB33N10LTM по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить FQB33N10LTM ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FQB33N10LTM вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
Узнать стоимость и срок поставки
\
\ Наличие\ \ Под заказ\
\
\ Производитель\ \ ON Semiconductor\
\
\ Артикул\ \ FQB33N10LTM\
\
\ Гарантия\ \ 12 месяцев\
\
\ Состояние\ \ Новый\
\
\

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 33 А, Тип корпуса: D2PAK (TO-263), Максимальное рассеяние мощности: 3,75 W, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 9.65мм, Высота: 4.83мм, Размеры: 10.67 x 9.65 x 4.83мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 17 ns, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 70 нс, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 1V, Максимальное сопротивление сток-исток: 52 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 100 V, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 30 nC @ 5 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1250 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION

\

FQB33N10LTM – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 423 ₽ за штуку. Купите FQB33N10LTM по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить FQB33N10LTM ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FQB33N10LTM вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
×
Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
Image