2SK932-23-TB-E ON Semiconductor

Максимальная Рабочая Температура: 150 C, Количество Выводов: 3 Вывода, Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный, Стиль Корпуса Транзистора: sot-23, Напряжение Пробоя Vbr: -15В, Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min): 10мА, Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off): -600мВ, Тип Транзистора: JFET, Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max): 17мА, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Length: 2.9мм, Transistor Configuration: Single, Source Gate On-Capacitance: 3pF, Idss Drain-Source Cut-off Current: 10 ? 17mA, Brand: ON Semiconductor, Drain Gate On-Capacitance: 10пФ, Package Type: CP, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Width: 1.5мм, Height: 1.1мм, Maximum Drain Gate Voltage: -15V, Maximum Drain Source Voltage: 15 V, Pin Count: 3, Dimensions: 2.9 x 1.5 x 1.1mm, Configuration: Single, Channel Type: N, Id - непрерывный ток утечки: 50 mA, Pd - рассеивание мощности: 200 mW, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 15 V, Категория продукта: JFET, Подкатегория: Transistors, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: 2SK932, Тип: JFET, Тип продукта: JFETs, Ток стока при Vgs=0: 50 mA, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка / блок: SC-59, EU RoHS: Compliant, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8541.29.00.95, Maximum Drain Source Voltage (V): 15, Maximum Drain Gate Voltage (V): -15, Maximum Continuous Drain Current (mA): 50, Maximum Power Dissipation (mW): 200, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Packaging: Tape and Reel, Minimum Drain Saturation Current (mA): 10, Automotive: No, Standard Package Name: SC, Supplier Package: SC-59, Military: No, Mounting: Surface Mount, Package Height: 1.25(Max), Package Length: 3.05(Max), Package Width: 1.65(Max), PCB changed: 3, Lead Shape: Gull-wing, Вес, г: 0.07, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION

2SK932-23-TB-E – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 97 ₽ за шт