FDB035AN06A0 ON Semiconductor

Maximum Operating Temperature: +175 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 10.67mm, Transistor Configuration: Single, Brand: ON Semiconductor, Maximum Continuous Drain Current: 80 A, Package Type: D2PAK (TO-263), Maximum Power Dissipation: 310 W, Series: PowerTrench, Mounting Type: Surface Mount, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 11.33mm, Height: 4.83mm, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Maximum Drain Source Resistance: 7 m?, Maximum Drain Source Voltage: 60 V, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Transistor Material: Si, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V, Id - непрерывный ток утечки: 80 A, Pd - рассеивание мощности: 310 W, Qg - заряд затвора: 124 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.2 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 93 ns, Время спада: 13 ns, Высота: 4.83 mm, Длина: 10.67 mm, Другие названия товара №: FDB035AN06A0_NL, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: PowerTrench, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 800, Серия: FDB035AN06A0, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 38 ns, Типичное время задержки при включении: 15 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка / блок: TO-263-3, Ширина: 9.65 mm, Automotive: No, Configuration: Single, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant with Exemption, Lead Shape: Gull-wing, Maximum Continuous Drain Current (A): 22, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 3.5 10V, Maximum Drain Source Voltage (V): 60, Maximum Gate Source Voltage (V): ±20, Maximum Ope