N25S830HAT22I ON Semiconductor

Automotive: No, Chip Density (bit): 256K, Data Rate Architecture: SDR, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Gull-wing, Max. Access Time (ns): 25, Maximum Clock Rate (MHz): 20, Maximum Operating Supply Voltage (V): 3.6, Maximum Operating Temperature (°C): 85, Minimum Operating Supply Voltage (V): 2.7, Minimum Operating Temperature (°C): -40, Mounting: Surface Mount, Number of Bits/Word (bit): 8, Number of Ports: 1, Number of Words: 32K, Operating Current (mA): 10, Packaging: Tube, Part Status: Active, PCB changed: 8, Pin Count: 8, PPAP: No, Standard Package Name: SOP, Supplier Package: TSSOP, Timing Type: Synchronous, Typical Operating Supply Voltage (V): 3, Максимальная рабочая температура: +85 °C, Длина: 4.5мм, Минимальное рабочее напряжение питания: 2,7 В, Brand: ON Semiconductor, Объем памяти: 256Кбит, Тип корпуса: TSSOP, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -40 °C, Ширина: 3.1мм, Организация: 32К x 8 бит, Высота: 1.05мм, Maximum Operating Supply Voltage: 3,6 В, Число контактов: 8, Размеры: 4.5 x 3.1 x 1.05мм, Interface Type: SPI, Number of Bits per Word: 8бит, Maximum Operating Temperature: +85 °C, Length: 4.5мм, Memory Size: 256Кбит, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: -40 °C, Width: 3.1мм, Organisation: 32К x 8 бит, Height: 1.05мм, Максимальное рабочее напряжение питания: 3,6 В, Dimensions: 4.5 x 3.1 x 1.05мм, Тип интерфейса: SPI, Вид монтажа: SMD/SMT, Время доступа: 25 ns, Диапазон данных: SDR, Категория продукта: Стат. ОЗУ, Количество портов: 1, Максимальная тактовая частота: 20 MHz, Напряжение питания - макс.: 10 mA, 3.6 V, Напряжение питания - мин.: 2.7 V, Подкатегория: Memory Data Storage, Размер памяти: 256 kbit, Размер фабричной упаковки: 100, Серия: N25S830HA, Тип: Synchronous, Тип памяти: SDR, Тип продукта: SRAM, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TSSOP-8, Чувствительный к влажности: Yes, Memory Format: SRAM, Mem