1N5221B ON Semiconductor

Diode Configuration: Одинарный, Maximum Operating Temperature: +200 °C, Тип диода Зенера: Универсальные измерители, Number of Elements per Chip: 1, Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода: 5%, Brand: ON Semiconductor, Package Type: DO-35, Типичный температурный коэффициент напряжения: -0.085%/°C, Maximum Power Dissipation: 500 мВт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -65 °C, Test Current: 20mA, Диаметр: 1.91мм, Maximum Reverse Leakage Current: 100мкА, Высота: 4.56мм, Pin Count: 2, Dimensions: 1.91 Dia. x 4.56мм, Номинальное напряжение стабилизации (напряжение Зенера): 2.4V, Power Dissipation: 500мВт, Forward Current: 200mA, Forward Voltage: 1.2V, Maximum Zener Impedance: 1200 ? @ 0.25, 30 ? @ 20 mA, EU RoHS: Compliant with Exemption, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8541.10.00.50, Type: Voltage Regulator, Configuration: Single, Nominal Zener Voltage (V): 2.4, Zener Voltage Tolerance: 5%, Maximum Forward Voltage (V): 1.2, Maximum Power Dissipation (mW): 500, Test Current (mA): 20, Maximum Reverse Leakage Current (uA): 100, Maximum Zener Impedance (Ohm): 30, Maximum Power Dissipation @ 25C (mW): 500, Minimum Operating Temperature (°C): -65, Maximum Operating Temperature (°C): 200, Minimum Zener Voltage (V): 2.28, Maximum Zener Voltage (V): 2.52, Typical Voltage Temperature Coefficient: -0.085%/°C(Max), Packaging: Bag, Automotive: No, Standard Package Name: DO-204-AH, Supplier Package: DO-35, Military: No, Mounting: Through Hole, Diameter: 1.91(Max), Package Length: 4.56(Max), PCB changed: 2, Lead Shape: Through Hole, Ir - обратный ток: 100 uA, Pd - рассеивание мощности: 500 mW, Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода: 2.4 V, Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое: 30 Ohms, Вид монтажа: Through Hole, Длина: 4.56 mm, Допустимое отклонение напряжения: 5 %, Зенеровский ток: 20 mA, Категория продукта: Стабилитроны, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая тем