1N5335BG ON Semiconductor

EU RoHS: Compliant with Exemption, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8541.10.00.50, Type: Voltage Regulator, Configuration: Single, Nominal Zener Voltage (V): 3.9, Zener Voltage Tolerance: 5%, Maximum Voltage Regulation (mV): 540, Test Current (mA): 320, Maximum Reverse Leakage Current (uA): 50, Maximum Regulator Current (mA): 1220, Maximum Zener Impedance (Ohm): 2, Maximum Power Dissipation @ 25C (mW): 5000, Minimum Operating Temperature (°C): -65, Maximum Operating Temperature (°C): 200, Packaging: Box, Automotive: No, Pin Count: 2, Supplier Package: Case 017AA-01, Military: No, Diameter: 3.68(Max), Mounting: Through Hole, Package Length: 8.89(Max), PCB changed: 2, Lead Shape: Through Hole, Diode Configuration: Одинарный, Maximum Operating Temperature: +200 °C, Тип диода Зенера: Регулятор напряжения, Number of Elements per Chip: 1, Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода: ±5%, Brand: ON Semiconductor, Package Type: Case 017AA, Maximum Power Dissipation: 5 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -65 °C, Испытательный ток: 320mA, Maximum Reverse Leakage Current: 50мкА, Height: 8.89мм, Dimensions: 3.68 Dia. x 8.89мм, Номинальное напряжение стабилизации (напряжение Зенера): 3.9V, Рассеиваемая мощность: 5W, Forward Current: 1A, Forward Voltage: 1.2V, Maximum Zener Impedance: 500Ом, Ir - обратный ток: 50 uA, Pd - рассеивание мощности: 5 W, Vf - прямое напряжение: 1.2 V, Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода: 3.9 V, Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое: 2 Ohms, Вид монтажа: Through Hole, Диаметр: 3.68 mm, Длина: 8.89 mm, Допустимое отклонение напряжения: 5 %, Зенеровский ток: 50 uA, Категория продукта: Стабилитроны, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 200 C, Минимальная рабочая температура: 65 C, Подкатегория: Diodes Rectifiers, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: 1N5335B, Тип выводов: Axial, Тип продукта: Zener Diodes, Ток испыта