BAP70-02,115 NXP Semiconductors

Diode Configuration: Одинарный, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 1.25мм, Максимальное прямое напряжение: 1.1V, Производитель: NXP, Тип корпуса: SOD-523, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -65 °C, Ширина: 0.85мм, Максимальная емкость диода: 0.25пФ, Высота: 0.65мм, Максимальное обратное напряжение: 50V, Число контактов: 2, Типичный срок службы носителя: 1.25мкс, Размеры: 1.25 x 0.85 x 0.65мм, Максимальный прямой ток: 100mA, Применение: Attenuator, Максимальное последовательное сопротивление при максимальном IF: 1.9 ? @ 100 mA, EU RoHS: Compliant, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8541.10.00.80, Type: Attenuator, Configuration: Single, Maximum Reverse Voltage (V): 50, Maximum Reverse Leakage Current (uA): 0.1, Maximum Forward Current (mA): 100, Maximum Forward Voltage (V): 1.1@50mA, Maximum Series Resistance @ Maximum IF (Ohm): 1.9@100mA, Maximum Series Resistance @ Minimum IF (Ohm): 100@0.5mA, Maximum Diode Capacitance (pF): 0.25@20V, Maximum Power Dissipation (mW): 415, Typical Carrier Life Time (us): 1.25, Minimum Operating Temperature (°C): -65, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Automotive: Yes, AEC Qualified Number: AEC-Q101, Pin Count: 2, Supplier Package: SOD-523, Standard Package Name: SOD, Military: No, Mounting: Surface Mount, Package Height: 0.65(Max), Package Length: 1.25(Max), Package Width: 0.85(Max), PCB changed: 2, Lead Shape: Flat, If - прямой ток: 100 mA, Pd - рассеивание мощности: 415 mW, Vf - прямое напряжение: 1.1 V, Vr - обратное напряжение: 50 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время жизни носителей: 1.25 us, Другие названия товара №: BAP70-02 T/R, Категория продукта: Регулируемые резистивные диоды, Конфигурация: Single, Максимальная ёмкость диода: 0.25 pF, Максимальная рабочая частота: 300 MHz, Максимальное последовательное сопротивление @ максимальная ПЧ: 1.9 Ohms, Максимальное последовательное сопротивление @ минимальная ПЧ: