FZ1800R12KL4C Модуль силовой Infineon

Кат. номер: FZ1800R12KL4C (FZ1800R12KL4C)
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
FZ1800R12KL4C Модуль силовой Infineon. Модуль силовой, биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1800A SINGLE. Конфигурация Triple Common Emitter Common Gate. Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V. Непрерывный коллекторный ток при 25 C 2850 A. Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA. Рассеяние мощности 11.4 KW. Максимальная рабочая температура + 125 C. Упаковка / блок IHM190. Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V. Минимальная рабочая температура - 40 C. Вид монтажа SMD/SMT. Размер фабричной упаковки 8.
Узнать стоимость и срок поставки
\
\ Наличие\ \ 2 шт\ \
\
\ Производитель\ \ Infineon\
\
\ Артикул\ \ FZ1800R12KL4C (FZ1800R12KL4C)\
\
\ Гарантия\ \ 12 месяцев\
\
\ Состояние\ \ Новый\
\
FZ1800R12KL4C Модуль силовой Infineon. Модуль силовой, биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1800A SINGLE. Конфигурация Triple Common Emitter Common Gate. Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V. Непрерывный коллекторный ток при 25 C 2850 A. Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA. Рассеяние мощности 11.4 KW. Максимальная рабочая температура + 125 C. Упаковка / блок IHM190. Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V. Минимальная рабочая температура - 40 C. Вид монтажа SMD/SMT. Размер фабричной упаковки 8.
×
Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
Image