APTGT50X60T3G Microchip

Pd - рассеивание мощности: 176 W, Вид монтажа: Chassis Mount, Высота: 11.5 mm, Диапазон рабочих температур: 40 C to + 175 C, Длина: 73.4 mm, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Hex, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 80 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 1, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 600 nA, Торговая марка: Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SP-3, Ширина: 40.8 mm, Base Product Number: APTGT50 ->, Configuration: Three Phase Inverter, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Current - Collector Cutoff (Max): 250ВµA, ECCN: EAR99, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: Trench Field Stop, Input: Standard, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Chassis Mount, NTC Thermistor: Yes, Operating Temperature: -40В°C \~ 175В°C (TJ), Package: Bulk, Package / Case: SP3, Power - Max: 176W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: RoHS Compliant, Supplier Device Package: SP3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V, Бренд: Microchip Technology

APTGT50X60T3G – артикул товара бренда Microchip с розничной ценой 33 328 ₽ за штуку. Купите APTGT50X60T3G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Microchip для наших постоянных клиентов.\

\ Купить APTGT50X60T3G Microchip в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать