IXFL82N60P Ixys

Кат. номер: IXFL82N60P
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\

Id - непрерывный ток утечки: 82 A, Pd - рассеивание мощности: 625 W, Qg - заряд затвора: 240 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 78 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 23 ns, Время спада: 24 ns, Высота: 26.42 mm, Длина: 20.29 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 50 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXFL82N60, Технология: Si, Тип: PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 79 ns, Типичное время задержки при включении: 28 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, Ширина: 5.21 mm, Вес, г: 8, Бренд: Ixys Corporation

\

IXFL82N60P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 5 809 ₽ за штуку. Купите IXFL82N60P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить IXFL82N60P Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFL82N60P вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
Узнать стоимость и срок поставки
\
\ Наличие\ \ Под заказ\
\
\ Производитель\ \ Ixys\
\
\ Артикул\ \ IXFL82N60P\
\
\ Гарантия\ \ 12 месяцев\
\
\ Состояние\ \ Новый\
\
\

Id - непрерывный ток утечки: 82 A, Pd - рассеивание мощности: 625 W, Qg - заряд затвора: 240 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 78 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 23 ns, Время спада: 24 ns, Высота: 26.42 mm, Длина: 20.29 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 50 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXFL82N60, Технология: Si, Тип: PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 79 ns, Типичное время задержки при включении: 28 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, Ширина: 5.21 mm, Вес, г: 8, Бренд: Ixys Corporation

\

IXFL82N60P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 5 809 ₽ за штуку. Купите IXFL82N60P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить IXFL82N60P Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFL82N60P вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
×
Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
Image