IXFP7N80P Ixys

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 7 А, Package Type: TO-220, Максимальное рассеяние мощности: 200 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.83мм, Высота: 9.15мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Length: 10.66мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Ixys, Series: HiperFET, Polar, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Максимальное сопротивление сток-исток: 1,44 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 800 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 32 нКл при 10 В, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 В, +30 В, Id - непрерывный ток утечки: 7 A, Pd - рассеивание мощности: 200 W, Qg - заряд затвора: 32 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.44 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 32 ns, Время спада: 24 ns, Длина: 10.66 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: Polar, HiperFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IXFP7N80, Технология: Si, Тип: Polar HiPerFET Power MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 55 ns, Типичное время задержки при включении: 28 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Вес, г: 3, Бренд: Ixys Corporation

IXFP7N80P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 706 ₽ за штуку. Купите IXFP7N80P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\