IXFL100N50P Ixys

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 70 А, Package Type: ISOPLUS264, Максимальное рассеяние мощности: 625 Вт, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Width: 5.21мм, Высота: 26.42мм, Количество элементов на ИС: 1, Length: 20.29мм, Brand: IXYS, Series: PolarHVTM HiPerFET, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 52 м?, Maximum Drain Source Voltage: 500 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 240 нКл при 10 В, Channel Mode: Поднятие, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 В, +30 В, Прямое напряжение диода: 1.5V, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Максимальный непрерывный ток стока: 70 А, Тип корпуса: ISOPLUS264, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Ширина: 5.21мм, Максимальное пороговое напряжение включения: 5V, Height: 26.42мм, Минимальное пороговое напряжение включения: 3V, Maximum Drain Source Resistance: 52 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 500 В, Номер канала: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -30 В, +30 В, Forward Diode Voltage: 1.5V, Id - непрерывный ток утечки: 70 A, Pd - рассеивание мощности: 625 W, Qg - заряд затвора: 240 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 52 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 29 ns, Время спада: 26 ns, Длина: 20.29 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 50 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXFL100N50, Технология: Si, Тип: PolarHV HiPerFET Power