IXFT60N65X2HV Ixys

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Количество элементов на ИС: 1, Length: 16.05мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: IXYS, Максимальный непрерывный ток стока: 60 А, Package Type: TO-268HV, Максимальное рассеяние мощности: 780 W, Серия: HiperFET, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 15.15mm, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Height: 5.1мм, Минимальное пороговое напряжение включения: 3.5V, Maximum Drain Source Resistance: 52 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 650 В, Pin Count: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 108 @ 10 V nC, Номер канала: Поднятие, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: ±30 V, Прямое напряжение диода: 1.4V, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Maximum Power Dissipation: 780 W, Series: HiperFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Ширина: 15.15mm, Максимальное пороговое напряжение включения: 5V, Максимальное сопротивление сток-исток: 52 m?, Maximum Drain Source Voltage: 650 В, Число контактов: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 108 @ 10 V nC, Channel Type: N, Id - непрерывный ток утечки: 60 A, Pd - рассеивание мощности: 780 W, Qg - заряд затвора: 108 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 52 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 650 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3.5 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 23 ns, Время спада: 12 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 23 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 63 ns, Типичное время задержки при включении: 30 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-268HV-3, Чувствительный к вл