IXFH96N20P Ixys

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 96 A, Тип корпуса: TO-247, Максимальное рассеяние мощности: 600 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 5.3мм, Высота: 21.46мм, Размеры: 16.26 x 5.3 x 21.46мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 16.26мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 28 ns, Производитель: IXYS, Типичное время задержки выключения: 75 ns, Серия: HiperFET, Polar, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Максимальное сопротивление сток-исток: 24 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 200 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 145 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 4800 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Maximum Operating Temperature: +175 °C, Length: 16.26мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: IXYS, Maximum Power Dissipation: 600 Вт, Series: HiperFET, Polar, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Height: 21.46мм, Maximum Drain Source Resistance: 24 м?, Maximum Drain Source Voltage: 200 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 145 нКл при 10 В, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 96 A, Pd - рассеивание мощности: 600 W, Qg - заряд затвора: 145 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 24 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 30 ns, Время спада: 30 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 40 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Разм