IXYA20N120C4HV Ixys
DC Ток Коллектора: 68А, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Линейка Продукции: XPT GenX4 Series, Максимальная Рабочая Температура: 175 C, Напряжение Коллектор-Эмиттер: 1.2кВ, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 2.5В, Рассеиваемая Мощность: 375Вт, Стиль Корпуса Транзистора: TO-263HV, Pd - рассеивание мощности: 375 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: XPT, Конфигурация: Single, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 68 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 120 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: Trench - 650V - 1200V GenX40, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-263HV-3, Current - Collector (Ic) (Max): 68A, Current - Collector Pulsed (Icm): 120A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 44nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: PT, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C \~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Power - Max: 375W, REACH Status: REACH Unaffected, Reverse Recovery Time (trr): 53ns, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: GenX4в„ў, XPTв„ў ->, Supplier Device Package: TO-263HV, Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 14ns/160ns, Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation
\IXYA20N120C4HV – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 3 128 ₽ за штуку. Купите IXYA20N120C4HV по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ix
DC Ток Коллектора: 68А, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Линейка Продукции: XPT GenX4 Series, Максимальная Рабочая Температура: 175 C, Напряжение Коллектор-Эмиттер: 1.2кВ, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 2.5В, Рассеиваемая Мощность: 375Вт, Стиль Корпуса Транзистора: TO-263HV, Pd - рассеивание мощности: 375 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: XPT, Конфигурация: Single, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 68 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 120 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: Trench - 650V - 1200V GenX40, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-263HV-3, Current - Collector (Ic) (Max): 68A, Current - Collector Pulsed (Icm): 120A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 44nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: PT, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C \~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Power - Max: 375W, REACH Status: REACH Unaffected, Reverse Recovery Time (trr): 53ns, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: GenX4в„ў, XPTв„ў ->, Supplier Device Package: TO-263HV, Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 14ns/160ns, Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation
\IXYA20N120C4HV – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 3 128 ₽ за штуку. Купите IXYA20N120C4HV по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ix