IXGN200N170 Ixys

Pd - рассеивание мощности: 1250 W, Вид монтажа: Screw Mount, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1700 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 280 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 1050 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 10, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SOT-227B-4, California Prop 65: Warning Information, Current - Collector (Ic) (Max): 280A, Current - Collector Pulsed (Icm): 1050A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 540nC, HTSUS: 8541.29.0095, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Power - Max: 1250W, REACH Status: REACH Unaffected, Reverse Recovery Time (trr): 133ns, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: SOT-227B, Switching Energy: 28mJ (on), 30mJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 37ns/320ns, Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700V, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation

IXGN200N170 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 19 134 ₽ за штуку. Купите IXGN200N170 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IXGN200N170 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать ан