IXYN100N65C3H1 Ixys
Pd - рассеивание мощности: 600 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: XPT, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 166 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 166 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 10, Серия: IXYN100N65, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SOT-227B-4, California Prop 65: Warning Information, Configuration: Single, Current - Collector (Ic) (Max): 166A, Current - Collector Cutoff (Max): 50ВµA, ECCN: EAR99, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: PT, Input: Standard, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98nF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Chassis, Stud Mount, NTC Thermistor: No, Operating Temperature: -55В°C \~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Power - Max: 600W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: XPTв„ў, GenX3в„ў ->, Supplier Device Package: SOT-227B, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V, Вес, г: 30.01, Бренд: Ixys Corporation
\IXYN100N65C3H1 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 6 797 ₽ за штуку. Купите IXYN100N65C3H1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IXYN100N65C3H1 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\
Pd - рассеивание мощности: 600 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: XPT, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 166 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 166 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 10, Серия: IXYN100N65, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SOT-227B-4, California Prop 65: Warning Information, Configuration: Single, Current - Collector (Ic) (Max): 166A, Current - Collector Cutoff (Max): 50ВµA, ECCN: EAR99, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: PT, Input: Standard, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98nF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Chassis, Stud Mount, NTC Thermistor: No, Operating Temperature: -55В°C \~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Power - Max: 600W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: XPTв„ў, GenX3в„ў ->, Supplier Device Package: SOT-227B, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V, Вес, г: 30.01, Бренд: Ixys Corporation
\IXYN100N65C3H1 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 6 797 ₽ за штуку. Купите IXYN100N65C3H1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IXYN100N65C3H1 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\