IRS2113PBF Infineon

Maximum Operating Temperature: +125 °C, Package Type: PDIP, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Width: 7.11мм, Высота: 5.33мм, Размеры: 20.19 x 7.11 x 5.33мм, Топология: Верхняя и нижняя сторона, Length: 20.19мм, Количество выходов: 2, Minimum Operating Supply Voltage: 10 В, Brand: Infineon, Полярность: Неинвертирующий, Логическая совместимость входного сигнала: CMOS, LSTTL, Minimum Operating Temperature: -40 °C, Maximum Operating Supply Voltage: 20 В, Число контактов: 14, High and Low Sides Dependency: Независимый, Peak Output Current: 2.5A, Количество драйверов: 2, Pd - рассеивание мощности: 1.6 W, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 35 ns, Время спада: 25 ns, Выходной ток: 2.5 A, Длина: 20.19 mm, Задержка распространения - макс.: 160 ns, Категория продукта: Драйверы для управления затвором, Максимальная рабочая температура: + 125 C, Максимальное время задержки включения: 130 ns, Максимальное время задержки выключения: 120 ns, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение питания - макс.: 20 V, Напряжение питания - мин.: 10 V, Особенности: Independent, Подкатегория: PMIC - Power Management ICs, Продукт: Half-Bridge Drivers, Рабочий ток источника питания: 340 uA, Размер фабричной упаковки: 1500, Технология: Si, Тип: High Side, Low Side, Тип логики: CMOS, TTL, Тип продукта: Gate Drivers, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: PDIP-14, Ширина: 7.11 mm, Base Product Number: IRS2113 ->, Channel Type: Independent, Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A, Driven Configuration: Half-Bridge, ECCN: EAR99, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V, HTSUS: 8542.39.0001, Input Type: Non-Inverting, Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Number of Drivers: 2, Operating Temperature: -40В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: 14-DIP (0.300, 7.62mm), REACH Status: REACH Unaffected, Rise / Fall