AUIRFU8403 Infineon

Maximum Operating Temperature: +175 °C, Количество элементов на ИС: 1, Length: 6.73мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Infineon, Maximum Continuous Drain Current: 100 A, 127 A, Package Type: IPAK (TO-251), Максимальное рассеяние мощности: 99 W, Серия: COOLiRFET, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Width: 2.39mm, Maximum Gate Threshold Voltage: 3.9V, Height: 6.22mm, Minimum Gate Threshold Voltage: 2.2V, Maximum Drain Source Resistance: 3,1 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 40 В, Pin Count: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 66 нКл при 10 В, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 100 А, 127 А, Maximum Power Dissipation: 99 Вт, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 2.39мм, Number of Elements per Chip: 1, Длина: 6.73мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Series: COOLiRFET, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Минимальное пороговое напряжение включения: 2.2V, Maximum Drain Source Voltage: 40 В, Typical Gate Charge @ Vgs: 66 нКл при 10 В, Channel Type: N, Id - непрерывный ток утечки: 100 A, Pd - рассеивание мощности: 99 W, Qg - заряд затвора: 66 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.1 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 40 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3.9 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 32 ns, Время спада: 23 ns, Высота: 6.22 mm, Другие названия товара №: SP001518276, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Квалификация: AEC-Q101, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: CoolIRFet, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 283 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Технология: Si, Тип продукта: MO