BSC009NE2LSATMA1 Infineon

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 100 A, Package Type: TSDSON, Maximum Power Dissipation: 96 W, Mounting Type: Surface Mount, Width: 5.35mm, Forward Transconductance: 170s, Height: 1.1mm, Dimensions: 6.1 x 5.35 x 1.1mm, Transistor Material: Si, Number of Elements per Chip: 1, Length: 6.1mm, Transistor Configuration: Single, Typical Turn-On Delay Time: 10 ns, Brand: Infineon, Typical Turn-Off Delay Time: 48 ns, Series: OptiMOS, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Maximum Drain Source Resistance: 900 ??, Maximum Drain Source Voltage: 25 V, Pin Count: 8, Category: Power MOSFET, Typical Gate Charge @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Channel Mode: Enhancement, Typical Input Capacitance @ Vds: 5800 pF @ 12 V, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V, Forward Diode Voltage: 1V, Transistor Mounting: Surface Mount, Количество Выводов: 8вывод(-ов), Максимальная Рабочая Температура: 150 C, Напряжение Измерения Rds(on): 10В, Напряжение Истока-стока Vds: 25В, Непрерывный Ток Стока: 100А, Полярность Транзистора: N Канал, Пороговое Напряжение Vgs: 2.2В, Рассеиваемая Мощность: 96Вт, Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 750мкОм, Стиль Корпуса Транзистора: TDSON, Id - непрерывный ток утечки: 100 A, Pd - рассеивание мощности: 96 W, Qg - заряд затвора: 168 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 25 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 33 ns, Время спада: 19 ns, Высота: 1.27 mm, Длина: 5.9 mm, Другие названия товара №: BSC009NE2LSATMA1 BSC9NE2LSXT SP000893362, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Квалификация: AEC-Q101, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: OptiMOS, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 85 S, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Размер фабрично