Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
F3L75R12W1H3_B27 Infineon
Кат. номер: F3L75R12W1H3_B27
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Pd - рассеивание мощности: 275 W, Вид монтажа: Clamp, Другие названия товара №: F3L75R12W1H3B27BOMA1 SP001056132, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: 3-Phase, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 45 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 24, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: EasyPack1B, Вес, г: 24, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.
\F3L75R12W1H3_B27 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 16 346 ₽ за штуку. Купите F3L75R12W1H3_B27 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить F3L75R12W1H3_B27 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на F3L75R12W1H3_B27 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
Infineon\
\
\
Артикул\
\
F3L75R12W1H3_B27\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Pd - рассеивание мощности: 275 W, Вид монтажа: Clamp, Другие названия товара №: F3L75R12W1H3B27BOMA1 SP001056132, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: 3-Phase, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 45 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 24, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: EasyPack1B, Вес, г: 24, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.
\F3L75R12W1H3_B27 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 16 346 ₽ за штуку. Купите F3L75R12W1H3_B27 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить F3L75R12W1H3_B27 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на F3L75R12W1H3_B27 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\