Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru

Pd - рассеивание мощности: 333 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 4.4 mm, Длина: 10.25 mm, Другие названия товара №: IGB50N60TATMA1 IGB5N6TXT SP000054922, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 90 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: TRENCHSTOP IGBT, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: TO-263-3, Ширина: 9.9 mm, Вес, г: 2, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.
\IGB50N60T – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 1 893 ₽ за штуку. Купите IGB50N60T по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IGB50N60T Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IGB50N60T вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\Pd - рассеивание мощности: 333 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 4.4 mm, Длина: 10.25 mm, Другие названия товара №: IGB50N60TATMA1 IGB5N6TXT SP000054922, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 90 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: TRENCHSTOP IGBT, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: TO-263-3, Ширина: 9.9 mm, Вес, г: 2, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.
\IGB50N60T – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 1 893 ₽ за штуку. Купите IGB50N60T по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IGB50N60T Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IGB50N60T вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\© 2025 ООО «Компказань», все права защищены
Политика в отношении обработки персональных данных и данных cookie