Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru

Pd - рассеивание мощности: 175 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Коммерческое обозначение: EasyPIM, Конфигурация: IGBT-Inverter, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 65 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 15, Серия: Trench/Fieldstop IGBT3 - E3, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: Module, Вес, г: 39, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.
\FP50R06W2E3 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 15 617 ₽ за штуку. Купите FP50R06W2E3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить FP50R06W2E3 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FP50R06W2E3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\Pd - рассеивание мощности: 175 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Коммерческое обозначение: EasyPIM, Конфигурация: IGBT-Inverter, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 65 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 15, Серия: Trench/Fieldstop IGBT3 - E3, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: Module, Вес, г: 39, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.
\FP50R06W2E3 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 15 617 ₽ за штуку. Купите FP50R06W2E3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить FP50R06W2E3 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FP50R06W2E3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\© 2025 ООО «Компказань», все права защищены
Политика в отношении обработки персональных данных и данных cookie