DMG1012UW-7 Diodes

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 2.2мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: DiodesZetex, Maximum Continuous Drain Current: 1 A, Package Type: SOT-323 (SC-70), Maximum Power Dissipation: 290 mW, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Width: 1.35мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 1V, Height: 1мм, Maximum Drain Source Resistance: 750 м?, Maximum Drain Source Voltage: 20 В, Pin Count: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 0.737 nC @ 4.5 V, Transistor Material: Кремний, Номер канала: Поднятие, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -6 V, +6 V, Максимальный непрерывный ток стока: 1 A, Максимальное рассеяние мощности: 290 мВт, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Высота: 1мм, Длина: 2.2мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Максимальное сопротивление сток-исток: 750 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 20 В, Typical Gate Charge @ Vgs: 0,737 нКл при 4,5 В, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -6 В, +6 В, Configuration: Single, Factory Pack Quantity: 3000, Fall Time: 12.3 ns, Id - Continuous Drain Current: 1 A, Manufacturer: Diodes Incorporated, Mounting Style: SMD/SMT, Number Of Channels: 1 Channel, Package / Case: SOT-323-3, Packaging: Cut Tape or Reel, Pd - Power Dissipation: 290 mW, Product: MOSFET Small Signal, Product Category: MOSFET, Product Type: MOSFET, Qg - Gate Charge: 736.6 pC, Rds On - Drain-Source Resistance: 450 mOhms, Rise Time: 7.4 ns, Series: DMG1012, Subcategory: MOSFETs, Technology: Si, Transistor Polarity: N-Channel, Transistor Type: 1 N-Channel, Typical Turn-Off Delay Time: 26.7 ns, Typical Turn-On Delay Time: 5.1 ns, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V, Vgs - Gate-Source Voltage: 4.5 V, Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage: 500 mV, Вес, г: 0.02, Бренд: Diodes INC.

DMG1012UW-7 – артикул товара бренда Diodes с розничной ценой