ZXMN10A25GTA Diodes

EU RoHS: Compliant with Exemption, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8541.29.00.95, Lead Shape: Gull-wing, Package Height: 1.6, Package Width: 3.5, Package Length: 6.5, Mounting: Surface Mount, PCB changed: 3, Product Category: Power MOSFET, Configuration: Single Dual Drain, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Number of Elements per Chip: 1, Maximum Drain Source Voltage (V): 100, Maximum Gate Source Voltage (V): ±20, Maximum Continuous Drain Current (A): 2.9, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 125@10V, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 17@10V, Typical Gate Charge @ 10V (nC): 17, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 859@50V, Maximum Power Dissipation (mW): 3900, Typical Fall Time (ns): 9.4, Typical Rise Time (ns): 3.7, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 18, Typical Turn-On Delay Time (ns): 4.9, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Packaging: Tape and Reel, Automotive: No, Supplier Package: SOT-223, Standard Package Name: SOT, Pin Count: 4, Military: No, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 4 А, Package Type: SOT-223, Максимальное рассеяние мощности: 3,9 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 3.7мм, Height: 1.8мм, Transistor Material: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Length: 6.7мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: DiodesZetex, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Максимальное пороговое напряжение включения: 4V, Максимальное сопротивление сток-исток: 125 м?, Maximum Drain Source Voltage: 100 В, Typical Gate Charge @ Vgs: 17 нКл при 10 В, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 4 A, Pd - рассеивание мощности: 3.9 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 125 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 3.7 ns, Время спада: 9.4 ns, Высота: 1.65 mm, Длина: 6.7 mm, Канальный режим: Enhancement, Категори