ZVP3306FTA Diodes

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 90 мА, Тип корпуса: SOT-23, Максимальное рассеяние мощности: 330 мВт, Тип монтажа: Surface Mount, Ширина: 1.4мм, Высота: 1мм, Размеры: 3.05 x 1.4 x 1мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 3.05, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 8 нс, Производитель: DiodesZetex, Типичное время задержки выключения: 8 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 3.5V, Максимальное сопротивление сток-исток: 14 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 3, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 50 пФ при 18 В, Тип канала: A, P, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 90 mA, Pd - рассеивание мощности: 330 mW, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 14 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.5 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 8 ns, Время спада: 8 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 60 mS, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: P-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: ZVP3306, Технология: Si, Тип: FET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 P-Channel, Типичное время задержки при включении: 8 ns, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка / блок: SOT-23-3, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 90mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: P-Channel, HTSUS: 8541.21.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 18V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), P