CY7C1350G-133AXI Cypress
EU RoHS: Compliant, ECCN (US): 3A991.b.2.a, Part Status: Active, HTS: 8542.32.00.41, Chip Density (bit): 4M, Number of Words: 128K, Number of Bits/Word (bit): 36, Architecture: Pipelined, Data Rate Architecture: SDR, Address Bus Width (bit): 17, Number of Ports: 4, Timing Type: Synchronous, Max. Access Time (ns): 4, Maximum Clock Rate (MHz): 133, Process Technology: 90nm, CMOS, Minimum Operating Supply Voltage (V): 3.135, Typical Operating Supply Voltage (V): 3.3, Maximum Operating Supply Voltage (V): 3.6, Operating Current (mA): 225, Minimum Operating Temperature (°C): -40, Maximum Operating Temperature (°C): 85, Supplier Temperature Grade: Industrial, Packaging: Tray, Standard Package Name: QFP, Pin Count: 100, Supplier Package: TQFP, Mounting: Surface Mount, Package Height: 1.4, Package Length: 20, Package Width: 14, PCB changed: 100, Lead Shape: Gull-wing, Вид монтажа: SMD/SMT, Время доступа: 4 ns, Категория продукта: Стат. ОЗУ, Количество портов: 4, Максимальная рабочая температура: + 85 C, Максимальная тактовая частота: 133 MHz, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение питания - макс.: 225 mA, 3.6 V, Напряжение питания - мин.: 3.135 V, Организация: 128 k x 36, Подкатегория: Memory Data Storage, Производитель: Cypress Semiconductor, Размер памяти: 4.5 Mbit, Размер фабричной упаковки: 144, Серия: CY7C1350G, Тип: Synchronous, Тип интерфейса: Parallel, Тип памяти: Volatile, Тип продукта: SRAM, Торговая марка: Cypress Semiconductor, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: TQFP-100, Access Time: 4ns, Base Product Number: CY7C1350 ->, Clock Frequency: 133MHz, ECCN: 3A991B2A, HTSUS: 8542.32.0041, Memory Format: SRAM, Memory Interface: Parallel, Memory Size: 4.5Mb (128K x 36), Memory Type: Volatile, Moisture Sensitivity Level (MSL): 3 (168 Hours), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40В°C \~ 85В°C (TA), Package: Tray, Package / Case: 100-LQFP, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: N
EU RoHS: Compliant, ECCN (US): 3A991.b.2.a, Part Status: Active, HTS: 8542.32.00.41, Chip Density (bit): 4M, Number of Words: 128K, Number of Bits/Word (bit): 36, Architecture: Pipelined, Data Rate Architecture: SDR, Address Bus Width (bit): 17, Number of Ports: 4, Timing Type: Synchronous, Max. Access Time (ns): 4, Maximum Clock Rate (MHz): 133, Process Technology: 90nm, CMOS, Minimum Operating Supply Voltage (V): 3.135, Typical Operating Supply Voltage (V): 3.3, Maximum Operating Supply Voltage (V): 3.6, Operating Current (mA): 225, Minimum Operating Temperature (°C): -40, Maximum Operating Temperature (°C): 85, Supplier Temperature Grade: Industrial, Packaging: Tray, Standard Package Name: QFP, Pin Count: 100, Supplier Package: TQFP, Mounting: Surface Mount, Package Height: 1.4, Package Length: 20, Package Width: 14, PCB changed: 100, Lead Shape: Gull-wing, Вид монтажа: SMD/SMT, Время доступа: 4 ns, Категория продукта: Стат. ОЗУ, Количество портов: 4, Максимальная рабочая температура: + 85 C, Максимальная тактовая частота: 133 MHz, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение питания - макс.: 225 mA, 3.6 V, Напряжение питания - мин.: 3.135 V, Организация: 128 k x 36, Подкатегория: Memory Data Storage, Производитель: Cypress Semiconductor, Размер памяти: 4.5 Mbit, Размер фабричной упаковки: 144, Серия: CY7C1350G, Тип: Synchronous, Тип интерфейса: Parallel, Тип памяти: Volatile, Тип продукта: SRAM, Торговая марка: Cypress Semiconductor, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: TQFP-100, Access Time: 4ns, Base Product Number: CY7C1350 ->, Clock Frequency: 133MHz, ECCN: 3A991B2A, HTSUS: 8542.32.0041, Memory Format: SRAM, Memory Interface: Parallel, Memory Size: 4.5Mb (128K x 36), Memory Type: Volatile, Moisture Sensitivity Level (MSL): 3 (168 Hours), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40В°C \~ 85В°C (TA), Package: Tray, Package / Case: 100-LQFP, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: N