CY7C1361C-100AXE Cypress

Architecture: Flow-Through, Automotive: Yes, Chip Density (bit): 9M, Data Rate Architecture: SDR, ECCN (US): 3A991b.2.a., EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Gull-wing, Max. Access Time (ns): 8.5, Maximum Clock Rate (MHz): 100, Maximum Operating Supply Voltage (V): 3.6, Maximum Operating Temperature (°C): 125, Minimum Operating Supply Voltage (V): 3.135, Minimum Operating Temperature (°C): -40, Mounting: Surface Mount, Number of Bits/Word (bit): 36, Number of Ports: 4, Number of Words: 256K, Operating Current (mA): 180, Packaging: Tray, Part Status: Active, PCB changed: 100, Pin Count: 100, PPAP: Unknown, Process Technology: 90nm, CMOS, Standard Package Name: QFP, Supplier Package: TQFP, Supplier Temperature Grade: Automotive, Timing Type: Synchronous, Typical Operating Supply Voltage (V): 3.3, Вид монтажа: SMD/SMT, Время доступа: 8.5 ns, Категория продукта: Стат. ОЗУ, Количество портов: 4, Максимальная рабочая температура: + 125 C, Максимальная тактовая частота: 100 MHz, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение питания - макс.: 180 mA, 3.6 V, Напряжение питания - мин.: 3.135 V, Организация: 256 k x 36, Подкатегория: Memory Data Storage, Размер памяти: 9 Mbit, Размер фабричной упаковки: 72, Серия: CY7C1361C, Тип: Synchronous, Тип интерфейса: Parallel, Тип памяти: SDR, Тип продукта: SRAM, Торговая марка: Cypress Semiconductor, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: TQFP-100, Чувствительный к влажности: Yes, Access Time: 8.5ns, Base Product Number: CY7C1361 ->, Clock Frequency: 100MHz, ECCN: 3A991B2A, HTSUS: 8542.32.0041, Memory Format: SRAM, Memory Interface: Parallel, Memory Size: 9Mb (256K x 36), Memory Type: Volatile, Moisture Sensitivity Level (MSL): 3 (168 Hours), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40В°C \~ 125В°C (TA), Package: Tray, Package / Case: 100-LQFP, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20), Technology: SRAM - Synchronous, SDR, Video Fil