Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru

Pd - рассеивание мощности: 650 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: XPT, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 175 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 350 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: Trench - 650V - 1200V GenX52, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-268HV-3, Чувствительный к влажности: Yes, Бренд: Ixys Corporation
\IXYT55N120A4HV – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 3 681 ₽ за штуку. Купите IXYT55N120A4HV по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IXYT55N120A4HV Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXYT55N120A4HV вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\Pd - рассеивание мощности: 650 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: XPT, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 175 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 350 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: Trench - 650V - 1200V GenX52, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-268HV-3, Чувствительный к влажности: Yes, Бренд: Ixys Corporation
\IXYT55N120A4HV – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 3 681 ₽ за штуку. Купите IXYT55N120A4HV по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IXYT55N120A4HV Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXYT55N120A4HV вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\© 2025 ООО «Компказань», все права защищены
Политика в отношении обработки персональных данных и данных cookie