MJD122G ON Semiconductor

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 4 В, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Количество элементов на ИС: 1, Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер: 4,5 В, Длина: 6.73мм, Transistor Configuration: Одинарный, Максимальное напряжение коллектор-база: 100 В, Максимальный запирающий ток коллектора: 0.01mA, Производитель: ON Semiconductor, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 100 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 8 A, Тип корпуса: DPAK (TO-252), Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -65 °C, Ширина: 6.22мм, Тип транзистора: NPN, Высота: 2.38мм, Число контактов: 3, Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В, Размеры: 6.73 x 6.22 x 2.38мм, Минимальный коэффициент усиления по постоянному току: 100, Вес, г: 0.4, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION

MJD122G – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 113 ₽ за штуку. Купите MJD122G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\

\ Купить MJD122G ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на MJD122G вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\