IRFD110PBF Vishay

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 1 А, Тип корпуса: HVMDIP, Максимальное рассеяние мощности: 1,3 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 6.29мм, Высота: 3.37мм, Размеры: 5 x 6.29 x 3.37мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 5мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 6.9 ns, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 15 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 540 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, Число контактов: 4, Типичный заряд затвора при Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 180 pF @ 25 V, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 1 A, Pd - рассеивание мощности: 1.3 W, Qg - заряд затвора: 8.3 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 540 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 16 ns, Время спада: 9.4 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 0.8 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 2500, Серия: IRFD, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 6.9 ns, Торговая марка: Vishay / Siliconix, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: HVMDIP-4, Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C: 1A, Power Dissipation-Max (Ta=25В°C): 1.3W, Rds On - Drain-Source Resistance: 540mО© @ 600mA,10V, Transistor Polarity: N Channel, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100V, Vgs - Gate-Source Voltage: 4V @ 250uA, Вес, г: 0.32, Бренд: Vishay INTERTECHNOLOGY INC.