Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
IXFH22N50P Ixys
Кат. номер: IXFH22N50P
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Id - непрерывный ток утечки: 22 A, Pd - рассеивание мощности: 350 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 270 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 21 ns, Высота: 21.46 mm, Длина: 16.26 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 20 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXFH22N50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 72 ns, Типичное время задержки при включении: 22 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Ширина: 5.3 mm, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation
\IXFH22N50P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 2 105 ₽ за штуку. Купите IXFH22N50P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IXFH22N50P Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFH22N50P вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
Ixys\
\
\
Артикул\
\
IXFH22N50P\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Id - непрерывный ток утечки: 22 A, Pd - рассеивание мощности: 350 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 270 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 21 ns, Высота: 21.46 mm, Длина: 16.26 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 20 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXFH22N50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 72 ns, Типичное время задержки при включении: 22 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Ширина: 5.3 mm, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation
\IXFH22N50P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 2 105 ₽ за штуку. Купите IXFH22N50P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IXFH22N50P Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFH22N50P вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\