DGTD65T50S1PT Diodes

Brand: DiodesZetex, Емкость затвора: 4453пФ, Количество транзисторов: 1, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальная рабочая температура: +175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20V, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 650 В, Максимальное рассеяние мощности: 375 Вт, Максимальный непрерывный ток коллектора: 100 A, 200(Pulsed)A, Минимальная рабочая температура: -40 C, Страна происхождения: CN, Тип корпуса: TO-247, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Число контактов: 3, Pd - рассеивание мощности: 375 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 100 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 450, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Бренд: Diodes INC.

DGTD65T50S1PT – артикул товара бренда Diodes с розничной ценой 1 023 ₽ за штуку. Купите DGTD65T50S1PT по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Diodes для наших постоянных клиентов.\

\ Купить DGTD65T50S1PT Diodes в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги Diodes и уточнить персональную цену на DGTD65T50S1PT вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\