IXFA110N15T2 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 110 A, Pd - рассеивание мощности: 480 W, Qg - заряд затвора: 150 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 11 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 150 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.5 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 16 ns, Время спада: 18 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single Dual Drain, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 75 S, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IXFA110N15, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 33 ns, Типичное время задержки при включении: 33 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-263-3, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 110A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C \~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, Supplier Device Package: TO-263 (IXFA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250ВµA, Вес, г: 2.5, Бренд: Ixys Corporation

IXFA110N15T2 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 988 ₽ за штуку. Купите IXFA110N15T2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IXFA110N15T2 Ixys в Олнисе оптом