IXFH22N60P3 Ixys

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 16.26mm, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: IXYS, Maximum Continuous Drain Current: 22 A, Package Type: TO-247, Maximum Power Dissipation: 500 W, Series: HiperFET, Polar3, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 5.3мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Height: 21.46mm, Maximum Drain Source Resistance: 360 m?, Maximum Drain Source Voltage: 600 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Transistor Material: Si, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -30 V, +30 V, Id - непрерывный ток утечки: 22 A, Pd - рассеивание мощности: 500 W, Qg - заряд затвора: 38 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 360 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 17 ns, Время спада: 19 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 24 S, 14 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXFH22N60, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 22A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Pac