CY7C1061GE30-10ZSXI Cypress
Вид монтажа: SMD/SMT, Время доступа: 10 ns, Категория продукта: Стат. ОЗУ, Максимальная рабочая температура: + 85 C, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение питания - макс.: 110 mA, 3.6 V, Напряжение питания - мин.: 2.2 V, Организация: 1 M x 16, Подкатегория: Memory Data Storage, Размер памяти: 16 Mbit, Размер фабричной упаковки: 108, Серия: CY7C1061, Тип: Asynchronous, Тип интерфейса: Parallel, Тип памяти: SDR, Тип продукта: SRAM, Торговая марка: Cypress Semiconductor, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: TSOP-54, Чувствительный к влажности: Yes, Access Time: 10ns, Base Product Number: CY7C1061 ->, ECCN: 3A991B2A, HTSUS: 8542.32.0041, Memory Format: SRAM, Memory Interface: Parallel, Memory Size: 16Mb (1M x 16), Memory Type: Volatile, Moisture Sensitivity Level (MSL): 3 (168 Hours), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40В°C \~ 85В°C (TA), Package: Tray, Package / Case: 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width), REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: 54-TSOP II, Technology: SRAM - Asynchronous, Video File: Cypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM, Voltage - Supply: 2.2V \~ 3.6V, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Бренд: Cypress Semiconductor
\CY7C1061GE30-10ZSXI – артикул товара бренда Cypress с розничной ценой 9 867 ₽ за штуку. Купите CY7C1061GE30-10ZSXI по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Cypress для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить CY7C1061GE30-10ZSXI Cypress в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Cypress и уточнить персональную цену на CY7C1061GE30-10ZSXI вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\Вид монтажа: SMD/SMT, Время доступа: 10 ns, Категория продукта: Стат. ОЗУ, Максимальная рабочая температура: + 85 C, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение питания - макс.: 110 mA, 3.6 V, Напряжение питания - мин.: 2.2 V, Организация: 1 M x 16, Подкатегория: Memory Data Storage, Размер памяти: 16 Mbit, Размер фабричной упаковки: 108, Серия: CY7C1061, Тип: Asynchronous, Тип интерфейса: Parallel, Тип памяти: SDR, Тип продукта: SRAM, Торговая марка: Cypress Semiconductor, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: TSOP-54, Чувствительный к влажности: Yes, Access Time: 10ns, Base Product Number: CY7C1061 ->, ECCN: 3A991B2A, HTSUS: 8542.32.0041, Memory Format: SRAM, Memory Interface: Parallel, Memory Size: 16Mb (1M x 16), Memory Type: Volatile, Moisture Sensitivity Level (MSL): 3 (168 Hours), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40В°C \~ 85В°C (TA), Package: Tray, Package / Case: 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width), REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: 54-TSOP II, Technology: SRAM - Asynchronous, Video File: Cypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM, Voltage - Supply: 2.2V \~ 3.6V, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Бренд: Cypress Semiconductor
\CY7C1061GE30-10ZSXI – артикул товара бренда Cypress с розничной ценой 9 867 ₽ за штуку. Купите CY7C1061GE30-10ZSXI по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Cypress для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить CY7C1061GE30-10ZSXI Cypress в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Cypress и уточнить персональную цену на CY7C1061GE30-10ZSXI вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\