IXTH50P10 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 50 A, Pd - рассеивание мощности: 300 W, Qg - заряд затвора: 140 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 55 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 39 ns, Время спада: 38 ns, Высота: 21.46 mm, Длина: 16.26 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 13 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: P-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXTH50P10, Технология: Si, Тип: Standard Power MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 P-Channel, Типичное время задержки выключения: 86 ns, Типичное время задержки при включении: 46 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Ширина: 5.3 mm, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: P-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250ВµA, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation

IXTH50P10 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 693 ₽ за штуку. Купите IXTH50P10 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Сп