SGP23N60UFTU ON Semiconductor

DC Ток Коллектора: 23А, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Линейка Продукции: UF, Максимальная Рабочая Температура: 150 C, Напряжение Коллектор-Эмиттер: 600В, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 2.6В, Рассеиваемая Мощность: 100Вт, Стиль Корпуса Транзистора: TO-220, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Length: 10.67mm, Transistor Configuration: Одиночный, Brand: ON Semiconductor, Maximum Collector Emitter Voltage: 600 В, Maximum Continuous Collector Current: 23 A, Package Type: TO-220, Maximum Power Dissipation: 100 W, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 4.83mm, Height: 16.51mm, Pin Count: 3, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Switching Speed: 1МГц, Maximum Gate Emitter Voltage: ±20V, Channel Type: N, Длина: 10.67mm, Максимальный непрерывный ток коллектора: 23 А, Минимальная рабочая температура: -55 C, Ширина: 4.83mm, Высота: 16.51mm, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Pd - рассеивание мощности: 100 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: SGP23N60UFTU_NL, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: +150 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 23 A, Непрерывный коллекторный ток: 23 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 23 A, Подкатегория: IGBTs, Производитель: onsemi, Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: SGP23N60UF, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: +/-100 nA, Торговая марка: onsemi/Fairchild, Упаковка / блок: TO-220-3, Упаковка: Tube, Вес, г: 2, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION

SGP23N60UFTU – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 541 ₽ за штуку. Купите SGP23N60UFTU по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\