SI2302CDS-T1-GE3 Vishay

Кат. номер: SI2302CDS-T1-GE3 (SI2302CDST1GE3)
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\

Id - непрерывный ток утечки: 2.9 A, Pd - рассеивание мощности: 860 mW, Qg - заряд затвора: 5.5 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 57 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 8 V, + 8 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 400 mV, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 7 ns, Время спада: 7 ns, Высота: 1.45 mm, Длина: 2.9 mm, Другие названия товара №: SI2302CDS-GE3, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: TrenchFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 13 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: SI2, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 30 ns, Типичное время задержки при включении: 8 ns, Торговая марка: Vishay Semiconductors, Упаковка / блок: SOT-23-3, Ширина: 1.6 mm, Вес, г: 0.05, Бренд: Vishay INTERTECHNOLOGY INC.

\

SI2302CDS-T1-GE3 – артикул товара бренда Vishay с розничной ценой 50 ₽ за штуку. Купите SI2302CDS-T1-GE3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Vishay для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить SI2302CDS-T1-GE3 Vishay в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги Vishay и уточнить персональную цену на SI2302CDS-T1-GE3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
Узнать стоимость и срок поставки
\
\ Наличие\ \ Под заказ\
\
\ Производитель\ \ Vishay\
\
\ Артикул\ \ SI2302CDS-T1-GE3 (SI2302CDST1GE3)\
\
\ Гарантия\ \ 12 месяцев\
\
\ Состояние\ \ Новый\
\
\

Id - непрерывный ток утечки: 2.9 A, Pd - рассеивание мощности: 860 mW, Qg - заряд затвора: 5.5 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 57 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 8 V, + 8 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 400 mV, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 7 ns, Время спада: 7 ns, Высота: 1.45 mm, Длина: 2.9 mm, Другие названия товара №: SI2302CDS-GE3, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: TrenchFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 13 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: SI2, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 30 ns, Типичное время задержки при включении: 8 ns, Торговая марка: Vishay Semiconductors, Упаковка / блок: SOT-23-3, Ширина: 1.6 mm, Вес, г: 0.05, Бренд: Vishay INTERTECHNOLOGY INC.

\

SI2302CDS-T1-GE3 – артикул товара бренда Vishay с розничной ценой 50 ₽ за штуку. Купите SI2302CDS-T1-GE3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Vishay для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить SI2302CDS-T1-GE3 Vishay в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги Vishay и уточнить персональную цену на SI2302CDS-T1-GE3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
×
Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
Image