BSS119NH6327XTSA1 Infineon

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 2.9мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Infineon, Maximum Continuous Drain Current: 190 мА, Package Type: SOT-23, Maximum Power Dissipation: 500 mW, Серия: OptiMOS, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 1.3мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 2.3V, Высота: 1мм, Minimum Gate Threshold Voltage: 1.3V, Maximum Drain Source Resistance: 10 ?, Maximum Drain Source Voltage: 100 V, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 190 mA, Pd - рассеивание мощности: 500 mW, Qg - заряд затвора: 0.6 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.406 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.3 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 3.3 ns, Время спада: 18.8 ns, Длина: 2.9 mm, Другие названия товара №: BSS119N H6327 SP000870644, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 350 mS, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 7 ns, Типичное время задержки при включении: 2.7 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: SOT-223-3, Ширина: 1.3 mm, Base Product Number: BSS119 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 190mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V, HTSUS: 8541.21.0095