RFD12N06RLESM9A ON Semiconductor

Maximum Operating Temperature: +175 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 6.73mm, Transistor Configuration: Одиночный, Brand: ON Semiconductor, Maximum Continuous Drain Current: 18 A, Package Type: DPAK (TO-252), Maximum Power Dissipation: 49 W, Series: UltraFET, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 6.22mm, Minimum Gate Threshold Voltage: 1V, Height: 2.39мм, Maximum Drain Source Resistance: 75 m?, Maximum Drain Source Voltage: 60 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Transistor Material: Si, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -16 V, +16 V, Id - непрерывный ток утечки: 17 A, Pd - рассеивание мощности: 49 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 75 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 16 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 89 ns, 34 ns, Время спада: 37 ns, 50 ns, Высота: 2.39 mm, Длина: 6.73 mm, Другие названия товара №: RFD12N06RLESM9A_NL, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 2500, Серия: RFD12N06RLESM, Технология: Si, Тип: MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 22 ns, 41 ns, Типичное время задержки при включении: 13 ns, 5.3 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка / блок: TO-252-3, Ширина: 6.22 mm, Количество элементов на ИС: 1, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальное напряжение затвор-исток: -16 В, +16 В, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Максимальное рассеяние мощности: 49 Вт, Максимальное сопротивление сток-исток: 75 м?, Максимальный непрерывный ток стока: 18 A, Материал транзистора: Кремний, Минимальное пороговое напряжение включения: 1V,