FQP85N06 ON Semiconductor

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 85 А, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 160 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7, Высота: 9.4мм, Размеры: 10.1 x 4.7 x 9.4мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.1мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 40 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 175 ns, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 10 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 86 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 3170 pF @ 25 V, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -25 В, +25 В, Number of Elements per Chip: 1, Brand: ON Semiconductor, Maximum Continuous Drain Current: 85 A, Series: QFET, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Width: 4.7мм, Maximum Drain Source Voltage: 60 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 86 нКл при 10 В, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -25 В, +25 В, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION

FQP85N06 – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 659 ₽ за штуку. Купите FQP85N06 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\

\ Купить FQP85N06 ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FQP85N06 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\