Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, 110Вт, TO220AB Toshiba
Кат. номер: TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, (TK58E06N1,Тр
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Id - непрерывный ток утечки: 105 A, Pd - рассеивание мощности: 110 W, Qg - заряд затвора: 46 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 5.4 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 15.1 mm, Длина: 10.16 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: U-MOSVIII-H, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: TK58E06N1, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Toshiba, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.45 mm, Вес, г: 1.96, Бренд: Toshiba
\TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, – артикул товара бренда Toshiba с розничной ценой 423 ₽ за штуку. Купите TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Toshiba для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, Toshiba в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Toshiba и уточнить персональную цену на TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
Toshiba\
\
\
Артикул\
\
TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, (TK58E06N1,ТранзисторNMOSFET,полевой,60В,58А,)\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Id - непрерывный ток утечки: 105 A, Pd - рассеивание мощности: 110 W, Qg - заряд затвора: 46 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 5.4 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 15.1 mm, Длина: 10.16 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: U-MOSVIII-H, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: TK58E06N1, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Toshiba, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.45 mm, Вес, г: 1.96, Бренд: Toshiba
\TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, – артикул товара бренда Toshiba с розничной ценой 423 ₽ за штуку. Купите TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Toshiba для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, Toshiba в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Toshiba и уточнить персональную цену на TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\