IXFK26N120P Ixys

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 26 А, Тип корпуса: TO-264, Максимальное рассеяние мощности: 960 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 5.13мм, Высота: 26.16мм, Размеры: 19.96 x 5.13 x 26.16мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 19.96мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 56 нс, Производитель: Ixys, Типичное время задержки выключения: 76 нс, Серия: HiperFET, Polar, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 6.5V, Максимальное сопротивление сток-исток: 460 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 1200 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 225 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 14000 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Id - непрерывный ток утечки: 26 A, Pd - рассеивание мощности: 960 W, Qg - заряд затвора: 255 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 500 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1.2 kV, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 6.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 55 ns, Время спада: 58 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: Polar, HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 13 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 25, Технология: Si, Тип: Polar HiPerFET Power MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 56 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, Brand: Ixys, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальное пороговое напряжение включения: 6.5V, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation

IXFK26N120P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 6 233 ₽ за шту