IXXH100N60B3 Ixys

Pd - рассеивание мощности: 830 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: XPT, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.8 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 210 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXXH100N60, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247AD, Base Product Number: IXX*N60 ->, California Prop 65: Warning Information, Current - Collector (Ic) (Max): 220A, Current - Collector Pulsed (Icm): 480A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 143nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: PT, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power - Max: 830W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: GenX3в„ў, XPTв„ў ->, Supplier Device Package: TO-247 (IXXH), Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 30ns/120ns, Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V, Вес, г: 6.5, Бренд: Ixys Corporation

IXXH100N60B3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 4 516 ₽ за штуку. Купите IXXH100N60B3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IXXH100N60B3 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\